氮化硅中氟、氯的測定
電子級的氮化硅薄膜是通過化學氣相沉淀或者等離子體增強化學氣相沉淀技術制造，而氮化硅中陰離子雜質(zhì)尤其是鹵素會對相關接觸部件造成嚴重腐蝕，所以對氮化硅中陰離子雜質(zhì)的準確測定具有重要意義。
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電子級的氮化硅薄膜是通過化學氣相沉淀或者等離子體增強化學氣相沉淀技術制造，而氮化硅中陰離子雜質(zhì)尤其是鹵素會對相關接觸部件造成嚴重腐蝕，所以對氮化硅中陰離子雜質(zhì)的準確測定具有重要意義。
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碳化硅（SiC）又名金剛砂，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。目前中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體。
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在集成電路制造過程中，常需要在晶圓上定義出極細微尺寸的圖案，這些圖案主要的形成方式是藉由蝕刻技術，將微影后產(chǎn)生的光阻圖案忠實的轉印至光阻下的材質(zhì)上，以形成集成電路的復雜架構。
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N-甲基吡咯烷酮，簡稱 NMP，無色透明油狀液體，微有胺的氣味。能與水、醇、醚、酯、酮、鹵代烴、芳烴互溶。揮發(fā)度低，熱穩(wěn)定性、化學穩(wěn)定性均佳，能隨水蒸氣揮發(fā)，有吸濕性，對光敏感。
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電池級微粉碳酸鋰系白色粉末，微溶于水，易溶于酸，是生產(chǎn)鋰電池的關鍵原料。主要用于電池行業(yè)制造鈷酸鋰、鎳酸鋰、磷酸鐵鋰、錳酸鋰等離子電池正極材料，也可用于充電鋰離子電池電解質(zhì)添加劑。
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氫 氧 化 鎳 是 鎳 基 電 池（Ni-MH、NiCd、Ni-Fe、Ni-Zn）的正極活性物質(zhì)，碳酸鎳、氫氧化鎳鈷分別是鋰電池正極材料碳酸鎳錳和鎳鈷酸鋰的合成原料。
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氫氧化鎳鈷錳是制備鋰離子二次電池正極材料——鎳鈷錳酸鋰的前軀體。它通過在純凈的鎳、鈷、錳的溶液中配入適當?shù)牧蛩徨i、硫酸鎳或硫酸鈷，調(diào)整溶液中鎳、鈷、錳元素摩爾比1:1:1，再加入液堿調(diào)節(jié) pH值得到鎳鈷錳氫氧化物。
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